3D XPoint: la nueva memoria de Intel y Micron que es 1.000 veces más rápida que la flash

El selector (en naranja) lee o cambia el estado de la celda de memoria
(en verde) dependiendo del voltaje que reciba de las dos conexiones. |
Intel

Nuestra vida cotidiana ya parece impensable sin el uso de modernos
dispositivos. Sin embargo, el ‘chip’ de memoria que usamos para
almacenar datos fue inventado en el ‘lejano’ 1989. Ahora, las empresas
Intel y Micron presentan una revolucionaria tecnología que es 1.000
veces más rápida que la memoria flash. 
Las empresas Intel y
Micron Technologies han iniciado la producción del revolucionario
‘chip’ 3D XPoint, una nueva categoría de memoria no volátil, es decir,
que no pierde los datos sin electricidad, y que es 1.000 veces más
rápida que la arquitectura NAND (memoria flash), reza el comunicado de Intel. Se trata de la primera categoría nueva de memorias en 25 años, cuando fueron inventadas las del tipo ‘flash’.


El 3D XPoint emplea una estructura de rejilla tridimensional que
permite acceder a cada celda de memoria individualmente y no necesita de
los transistores que se usan en los ‘chips’ actuales. La tecnología se
basa exclusivamente en un material que es capaz de cambiar los ‘bits’ de
baja resistencia a un estado de alta resistencia.

No obstante, la memoria flash seguirá dominando los próximos años
debido a que la 3D XPoint se usará principalmente en centros de datos de
grandes compañías y tardará un tiempo en convertirse en un producto de
alto consumo. Sin embargo, la nueva tecnología podría en un futuro
cercano ser el inicio de una nueva era en el almacenamiento de datos.

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